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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 197 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSS138NH6327

Fabricante N.º:

BSS138N H6327

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Hoja de datos:

BSS138N H6327 Hoja de datos (PDF)

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡197	₡197
	₡136	₡1 360
	₡86,4	₡8 640
	₡53,4	₡26 700
	₡39,4	₡39 400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡26,7	₡80 100
	₡23,8	₡214 200
	₡21,5	₡516 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

SP000919330

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡197

Mín.:

N.º de artículo del Fabricante:

BSS138NH6327XTSA2

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡139

Mín.:

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Fabricante:

Infineon Technologies

Fabricante N.º:

BSS138NH6327XTSA2

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	230 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	360 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	BSS138
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.3 ns
Alias de las piezas n.º:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Peso de la unidad:	8 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
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information.

5-0222-5

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Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

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