ALD114904APAL

Advanced Linear Devices
585-ALD114904APAL
ALD114904APAL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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₡5 719 ₡5 719
₡3 822 ₡38 220
₡3 178 ₡317 800
₡3 004 ₡3 004 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Advanced Linear Devices
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
PDIP-8
N-Channel
2 Channel
10 V
12 mA
500 Ohms, 500 Ohms
- 12 V, 12 V
420 mV
0 C
+ 70 C
500 mW
Depletion
Tube
Marca: Advanced Linear Devices
Configuración: Dual
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: ALD114904A
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 10 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 10 ns
Peso de la unidad: 1 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

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