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ADL8120ACPZN

Name: Analog Devices Inc. ADL8120ACPZN
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADL8120ACPZN
Price: 121203 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-ADL8120ACPZN

Fabricante N.º:

ADL8120ACPZN

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF 30 kHz to 20 GHz LNA

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡121 203	₡121 203
	₡103 252	₡1 032 520
	₡98 768	₡2 469 200

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	30 kHz to 20 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	3.3 V
Corriente de suministro operativa:	55 mA
Ganancia:	15 dB
NF - Figura de ruido:	2.3 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFCSP-8
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	13.5 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	26.5 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	ALD8120
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Analog Devices
Kit de desarrollo:	ADL8120-EVALZ
Pérdida de retorno de entrada:	15 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	900 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	20 GHz

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

ADL8120 30kHz to 20GHz Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. ADL8120 30kHz to 20GHz Low Noise Amplifier delivers a typical gain of 14dB and a noise figure of 1.9dB from 30kHz to 14GHz. The Analog Devices Inc. ADL8120 has performance metrics that include an output power of 16dBm at 1dB compression (OP1dB), an output third-order intercept (OIP3) of 29.5dBm, and an output second-order intercept (OIP2) of 33dBm within the same frequency range. The amplifier operates with a nominal adjustable quiescent current (I_DQ) of 55mA from a 3.3V supply (V_DD). The DC-coupled RF input and output are internally matched but require external AC coupling capacitors and a bias inductor on RF_OUT. The RF input is also biased via an external inductor connecting the V_BIAS pin to the RF_IN pin.