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DMN63D8LV-7

Name: Diodes Incorporated DMN63D8LV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN63D8LV-7
Price: 145 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN63D8LV-7

Fabricante N.º:

DMN63D8LV-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA

Hoja de datos:

DMN63D8LV-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡145	₡145
	₡90,5	₡905
	₡60,3	₡6 030
	₡48,1	₡24 050
	₡42,9	₡42 900
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡29	₡87 000
	₡26,7	₡160 200
	₡24,4	₡219 600

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-563-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	260 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Qg - Carga de puerta:	870 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	450 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	6.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.2 ns
Serie:	DMN63
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.3 ns
Peso de la unidad:	6 mg

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Hoja de datos

DMN63D8LV-7 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.