IXTH90P10P

IXYS
747-IXTH90P10P
IXTH90P10P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -100V 25 mOhms

Modelo ECAD:
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₡5 006,88 ₡50 068,80
₡4 585,30 ₡550 236,00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
100 V
90 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
120 nC
- 55 C
+ 150 C
462 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 32 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 22 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 77 ns
Serie: IXTH90P10
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 54 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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Fuel-Powered/Hybrid Military UAV Systems

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