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BFR380L3E6327XTMA1

Name: Infineon BFR380L3E6327XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR380L3E6327XTM
Price: 180 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BFR380L3E6327XTM

Fabricante N.º:

BFR380L3E6327XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF TRANSISTOR

Hoja de datos:

BFR380L3E6327XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡180	₡180
	₡108	₡1 080
	₡86,4	₡8 640
	₡81,8	₡40 900
	₡78,3	₡78 300
	₡74,8	₡187 000
	₡72,5	₡362 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 15000)
	₡65	₡975 000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

BFR 380L3 E6327

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡389

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Serie:	BFR380L3
Tipo de transistor:	Bipolar
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	NPN
Frecuencia de trabajo:	14 GHz
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	90
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	6 V
Voltaje VEBO emisor-base:	2 V
Corriente continua del colector:	80 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSLP-3
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Corriente CC máxima de colector:	80 mA
Dp - Disipación de potencia :	380 mW
Tipo de producto:	RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	15000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	BFR 380L3 E6327 SP000013562
Peso de la unidad:	0,550 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.