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FS50R12N2T7B15BPSA2

Name: Infineon FS50R12N2T7B15BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS50R12N2T7B15B2
Price: 36354 CRC
Availability: InStock

Mouser N.º:

726-FS50R12N2T7B15B2

Fabricante N.º:

FS50R12N2T7B15BPSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

Hoja de datos:

FS50R12N2T7B15BPSA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡36 354	₡36 354
	₡28 356	₡283 560
	₡27 289	₡2 865 345
5 010	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	6-Pack
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	FS50R12N2T7_B15 SP005612508

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V Sixpack IGBT Modules

Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules are EasyPACK™ 1B sixpack IGBT modules with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, and NTC technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules.