Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IGD70R140D2SAUMA1

Name: Infineon IGD70R140D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGD70R140D2SAUMA
Price: 1554 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-IGD70R140D2SAUMA

Fabricante N.º:

IGD70R140D2SAUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

IGD70R140D2SAUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies IGD70R140D2SAUMA1

En existencias: 1 792

Existencias:: 1 792 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 554	₡1 554
	₡1 003	₡10 030
	₡713	₡71 300
	₡597	₡298 500
	₡515	₡515 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡465	₡1 162 500
	₡456	₡2 280 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	700 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	1.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	29 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	23 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	CoolGaN G5
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	IGD70R140D2S SP006085341

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IGD70R140D2SAUMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

700V CoolGaN™ G5 Power Transistors

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5 Power Transistors represent a significant advancement in power conversion technology. These gallium nitride (GaN) transistors are designed to operate at high frequencies with superior efficiency, enabling ultra-fast switching and minimizing energy losses. The 700V CoolGaN G5 series features enhancement-mode transistors that are normally off, ensuring safe operation and high reliability. With low gate and output charge, these transistors support high power density designs and reduce system BOM costs.