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AT21CS01-SSHM16-T

Name: Microchip AT21CS01-SSHM16-T
Brand: Microchip Technology
SKU: 556-AT21CS01SSHM16T
Price: 340 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

556-AT21CS01SSHM16T

Fabricante N.º:

AT21CS01-SSHM16-T

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

EEPROM SEEPROM, 1K, SW - 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, 8-SOIC

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	EEPROM
RoHS:
Tamaño de memoria:	1 kbit
Tipo de interfaz:	1-Wire
Organización:	128 x 8
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Retención de datos:	100 Year
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AT21CS01
Empaquetado:	Reel
Corriente de lectura activa - máx.:	300 uA
Marca:	Microchip Technology
Tipo de producto:	EEPROM
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	300 uA

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CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
JPHTS:: 854232039
KRHTS:: 8542321090
TARIC:: 8542327500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

AT21CS01 EEPROM

Microchip Technology AT21CS01 EEPROM device is self-powered via 1.7V to 3.6V pull-up voltage in the single I/O line low voltage operation. These AT21CS01 provide 1,024bits of serial EEPROM internally organized as 128 words of 8 bits each (1Kbit). This device shares a common single-wire bus with an I²C protocol structure from which communication is achieved through a single I/O pin. The AT21CS01 features a 15.4Kbps max bit rate in standard speed mode and a 125Kbps max bit rate in high-speed mode.

AT21CS11 1Kb Serial EEPROM

Microchip Technology AT21CS11 1Kb Serial EEPROM is a 2-pin memory (SI/O signal and Ground) that harvests energy from the signal pin to power an integrated circuit for use in consumer and industrial applications. The AT21CS11 utilizes the Single-Wire bus and only two pins are needed to access the device: SI/O and GND. The SI/O signal is a combination of data and power lines, providing power to the device with a parasitic power scheme.