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MSC030SDA120B

Name: Microchip MSC030SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC030SDA120B
Price: 6206 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-MSC030SDA120B

Fabricante N.º:

MSC030SDA120B

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD

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Hoja de datos:

MSC030SDA120B Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡6 206	₡6 206
	₡5 725	₡171 750
	₡4 982	₡597 840

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	69 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	280 A
Ir - Corriente inversa:	9 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	MSC0
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Peso de la unidad:	8,522 g

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CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.