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MSC080SMA120J

Name: Microchip MSC080SMA120J
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC080SMA120J
Price: 16704 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-MSC080SMA120J

Fabricante N.º:

MSC080SMA120J

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227

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Hoja de datos:

MSC080SMA120J Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡16 704	₡16 704
	₡14 738	₡147 380
	₡14 436	₡433 080
	₡12 592	₡1 259 200
1 000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	100 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power MOSFET
Peso de la unidad:	47,178 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.