MSCSM120HM31CT3AG

Microchip Technology
494-120HM31CT3AG
MSCSM120HM31CT3AG

Fabricante:

Descripción:
Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Modelo ECAD:
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En existencias: 4

Existencias:
4 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡113 628 ₡113 628
₡111 998 ₡1 119 980
100 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Microchip
Categoría de producto: Módulos de semiconductores discretos
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Full Bridge
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SP3F
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marca: Microchip Technology
Tiempo de caída: 25 ns
Id - Corriente de drenaje continua: 89 A
Dp - Disipación de potencia : 395 W
Tipo de producto: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mOhms
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99