MT41K512M8DA-093:P

Micron
340-265839-TRAY
MT41K512M8DA-093:P

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR3 4Gbit 8 78/117TFBGA 1 CT

Ciclo de vida:
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Las cantidades superiores a 2191 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
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Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 2191
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡9 471 ₡9 471
₡9 083 ₡90 830

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Micron Technology
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3L
4 Gbit
8 bit
1.066 GHz
FBGA-78
512 M x 8
13.09 ns
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
MT41K
Tray
Marca: Micron
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1440
Subcategoría: Memory & Data Storage
Peso de la unidad: 1,233 g
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Atributos seleccionados: 0

                        
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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.