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AFV09P350-04NR3

Name: NXP AFV09P350-04NR3
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-AFV09P350-04NR3
Price: 105374 CRC
Availability: InStock

Mouser N.º:

841-AFV09P350-04NR3

Fabricante N.º:

AFV09P350-04NR3

Fabricante:

NXP Semiconductors

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡105 374	₡105 374
	₡88 763	₡887 630
	₡84 599	₡2 114 975
	₡82 099	₡4 104 950
	₡67 361	₡6 736 100
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡67 355	₡16 838 750
500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	105 V
Frecuencia de trabajo:	720 MHz to 960 MHz
Ganancia:	19.2 dB
Potencia de salida:	100 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	OM-780-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFV09P350
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Alias de las piezas n.º:	935322054528
Peso de la unidad:	3,065 g