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BUK7Q4R9-40HJ

Name: Nexperia BUK7Q4R9-40HJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7Q4R9-40HJ
Price: 603 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BUK7Q4R9-40HJ

Fabricante N.º:

BUK7Q4R9-40HJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q4R9-40H/SOT8002/MLPAK33

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡603	₡603
	₡376	₡3 760
	₡360	₡18 000
	₡246	₡24 600
	₡190	₡95 000
	₡172	₡172 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡148	₡444 000
	₡137	₡822 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MLPAK33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	29 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	84 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	934670278118

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BUK7Q4R9-40HJ Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Nexperia BUK7Q N-Channel MOSFETs in an MLPAK33-WF Package (SOT8002-3D) use Trench 9 technology. Qualified to meet AEC-Q101 requirements at 175°C, they offer a small footprint for compact designs. Nexperia BUK7Q has side-wettable flanks that provide robust solder joints and automated optical inspection.