QPD2080D

Qorvo
772-QPD2080D
QPD2080D

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:
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₡10 434 ₡2 086 800
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1 000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
pHEMT
Reel
Marca: Qorvo
Tipo de producto: RF JFET Transistors
Serie: QPD2080D
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

pHEMT GaAs discreto de 800 µm QPD2080D

El pHEMT (transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones) GaAs discreto de 800 µm QPD2080D de Qorvo cuenta con una frecuencia operativa de CC a 20 GHz.El QPD2080D normalmente proporciona 29.5 dBm de potencia de salida a P1dB con una ganancia de 11.5 dB y un 56 % de eficiencia de potencia agregada a una compresión de 1 dB. Este rendimiento hace que el QPD2080D sea adecuado para aplicaciones de alta eficiencia.