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RQ6P020ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6P020ATTCR
Price: 528 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ6P020ATTCR

Fabricante N.º:

RQ6P020ATTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Hoja de datos:

RQ6P020ATTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡528	₡528
	₡376	₡3 760
	₡252	₡25 200
	₡194	₡97 000
	₡176	₡176 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡152	₡456 000
	₡140	₡840 000
	₡131	₡1 179 000
	₡129	₡3 096 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-457T-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	220 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	24 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	3.4 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	83 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.9 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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