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RQ7E110AJTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ7E110AJTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ7E110AJTCR
Price: 824 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ7E110AJTCR

Fabricante N.º:

RQ7E110AJTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 30V 11A Si MOSFET

Hoja de datos:

RQ7E110AJTCR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡824	₡824
	₡524	₡5 240
	₡362	₡36 200
	₡293	₡146 500
	₡260	₡260 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡228	₡684 000
	₡212	₡1 272 000
	₡204	₡1 836 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	79 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	87 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns
Alias de las piezas n.º:	RQ7E110AJ
Peso de la unidad:	10 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.