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TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 5812 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

227-TP65H030G4PWS

Fabricante N.º:

TP65H030G4PWS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Ciclo de vida:

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	₡5 812	₡5 812
	₡4 066	₡40 660
	₡2 767	₡276 700
	₡2 726	₡2 616 960

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	55.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	24.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	192 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	6.8 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	960
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	GaN FET
Tiempo de retardo de apagado típico:	89.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40.8 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN^® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.