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STGD5H60DF

Name: STMicroelectronics STGD5H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD5H60DF
Price: 692.22 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STGD5H60DF

Fabricante N.º:

STGD5H60DF

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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Hoja de datos:

STGD5H60DF Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.5 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	10 A
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGD5H60DF
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	10 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	330 mg

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

PRODUCTOS DESTACADOS

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STGWA30IH160DF2 1600V IH2 Series IGBT

Created by implementing an advanced proprietary trench gate field-stop structure.

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STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT with Diode

Combines two IGBTs and diodes in a half-bridge topology.

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Developed using an advanced trench gate field stop structure.

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STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

Designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.

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GWA40MS120DF4AG Automotive-grade MS Series IGBT

1200V, 40A, low-loss, offers low thermal resistance, and comes in a TO-247 long leads package.

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Disponibilidad

Existencias:: 0

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En pedido:: 10 000

Se espera el 25/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 20

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡692,22	₡692,22
	₡433,55	₡4 335,50
	₡285,74	₡28 574,00
	₡222,24	₡111 120,00
	₡197,78	₡197 780,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡167,59	₡418 975,00
	₡150,41	₡752 050,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

STGD5H60DF

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed Complete su diseño

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