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STGP6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP6M65DF2
Price: 988.88 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STGP6M65DF2

Fabricante N.º:

STGP6M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	12 A
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGP6M65DF2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	12 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	1,800 g

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

PRODUCTOS DESTACADOS

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Designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.

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Existencias:: No en existencias

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Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡988,88	₡988,88
	₡472,58	₡4 725,80
	₡422,62	₡42 262,00
	₡333,62	₡166 810,00
	₡305,51	₡305 510,00
	₡272,72	₡545 440,00
	₡268,56	₡1 074 240,00

STGP6M65DF2

Fabricante: STMicroelectronics

Descripción: IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss Complete su diseño

Especificaciones

Documentos (9)

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PCN

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STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

PRODUCTOS DESTACADOS STMICROELECTRONICS

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