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STL36N55M5

Name: STMicroelectronics STL36N55M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL36N55M5
Price: 3554.78 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL36N55M5

Fabricante N.º:

STL36N55M5

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

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Ciclo de vida:

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Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

STL36N55M5 Hoja de datos (PDF)

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 554,78	₡3 554,78
	₡2 388,94	₡23 889,40
	₡1 727,95	₡172 795,00
	₡1 618,65	₡809 325,00
	₡1 514,55	₡1 514 550,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 509,35	₡4 528 050,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-8x8-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	550 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	62 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	Mdmesh M5
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	180 mg

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EOL

Product Discontinuation Notification 2026-5-26 (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.