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STW58N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW58N65DM2AG
Price: 5513.54 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STW58N65DM2AG

Fabricante N.º:

STW58N65DM2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	48 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	65 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	88 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	360 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	7.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	31 ns
Serie:	STW58N65DM2AG
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	157 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns
Peso de la unidad:	6 g