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TSM250N02CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM250N02CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM250N02CXRFG
Price: 307 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM250N02CXRFG

Fabricante N.º:

TSM250N02CX RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM250N02CX RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡307	₡307
	₡206	₡2 060
	₡135	₡13 500
	₡102	₡51 000
	₡91,1	₡91 100
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡77,1	₡231 300
	₡70,2	₡421 200
	₡55,1	₡495 900

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Qg - Carga de puerta:	7.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.56 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	11.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.1 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM250N02CX
Peso de la unidad:	8 mg