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TSM2NB60CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2NB60CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2NB60CP-ROG
Price: 176.96 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TSM2NB60CP-ROG

Fabricante N.º:

TSM2NB60CP ROG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 2A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM2NB60CP ROG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	9.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	44 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.5 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.1 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM2NB60CP
Peso de la unidad:	330 mg