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TSM600NA25CIT C0G

Name: Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM600NA25CITC0G
Price: 2627 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM600NA25CITC0G

Fabricante N.º:

TSM600NA25CIT C0G

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

TSM600NA25CIT C0G Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 627	₡2 627
	₡1 752	₡17 520
	₡1 253	₡125 300
	₡1 160	₡580 000
	₡1 154	₡2 308 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	ITO-220TL-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	250 V
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.2 V
Qg - Carga de puerta:	71 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	78 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	25 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	78 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM600NA25CIT
Peso de la unidad:	1,584 g

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.