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CSD13383F4

Name: Texas Instruments CSD13383F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13383F4
Price: 284 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD13383F4

Fabricante N.º:

CSD13383F4

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡284	₡284
	₡202	₡2 020
	₡126	₡12 600
	₡81,2	₡40 600
	₡74,2	₡74 200
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡63,2	₡189 600
	₡55,7	₡334 200
	₡44,7	₡402 300

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD13383F4T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡470

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD13383F4T

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PICOSTAR-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	700 mV
Qg - Carga de puerta:	2.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CSD13383F4
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	0,400 mg

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PCN

SPICE Models

CSD13383F4 PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.

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Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.