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CSD17581Q3A

Name: Texas Instruments CSD17581Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q3A
Price: 567.31 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17581Q3A

Fabricante N.º:

CSD17581Q3A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

Hoja de datos:

CSD17581Q3A Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	54 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	63 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	78 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	23 ns
Serie:	CSD17581Q3A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	23 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	27,700 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: China

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A

El MOSFET de potencia NexFET™ CSD17581Q3A de Texas Instruments es un MOSFET de potencia de 3.2 mΩ y de canal N de 30 V. El dispositivo está diseñado para minimizar la pérdida en las aplicaciones de conversión de potencia. Este MOSFET ofrece bajos niveles de Qg, Qgd, R_DS(on) y baja resistencia térmica. Estas funciones hacen que estos dispositivos sean ideales para el convertidor reductor sincrónico de punto de carga para aplicaciones en los sistemas de redes, telecomunicaciones e informáticos. Este dispositivo también tiene un buen funcionamiento en las aplicaciones de control de motores, y está optimizado para las aplicaciones FET de control.
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Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡567,31	₡567,31
	₡356,52	₡3 565,20
	₡233,69	₡23 369,00
	₡181,12	₡90 560,00
	₡163,95	₡163 950,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡144,69	₡361 725,00
	₡135,32	₡676 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17581Q3AT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡947,25

Mín.:

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CSD17581Q3A

Fabricante: Texas Instruments

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

Especificaciones

Documentos (3)

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