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CSD18532NQ5B

Name: Texas Instruments CSD18532NQ5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18532NQ5B
Price: 1746 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18532NQ5B

Fabricante N.º:

CSD18532NQ5B

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532NQ5BT

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 746	₡1 746
	₡1 131	₡11 310
	₡835	₡83 500
	₡696	₡348 000
	₡603	₡603 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡603	₡1 507 500

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD18532NQ5BT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡2 123

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD18532NQ5BT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 59 A 595-CSD18532NQ5B

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	151 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Qg - Carga de puerta:	49 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	156 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	2.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	140 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.7 ns
Serie:	CSD18532NQ5B
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.2 ns
Peso de la unidad:	134 mg

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PCN

SPICE Models

CSD18532NQ5B PSpice Model (Rev. B)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.