CSD19533KCS

Texas Instruments
595-CSD19533KCS
CSD19533KCS

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
100 A
10.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Tiempo de caída: 2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 115 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: CSD19533KCS
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 12 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

En existencias: 88

Existencias:
88
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1 000
Se espera el 21/9/2026
1 100
A determinar
Plazo de entrega de fábrica:
16
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 342,80 ₡1 342,80
₡739,06 ₡7 390,60
₡541,28 ₡54 128,00
₡458,01 ₡229 005,00
₡434,59 ₡434 590,00
₡411,17 ₡1 027 925,00
₡395,55 ₡1 977 750,00

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