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CSD19536KTT

Name: Texas Instruments CSD19536KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19536KTT
Price: 3056.6 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD19536KTT

Fabricante N.º:

CSD19536KTT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19536KTTT

Hoja de datos:

CSD19536KTT Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡3 056,60	₡3 056,60
	₡2 122,80	₡21 228,00
	₡1 525,40	₡152 540,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	₡1 374,60	₡687 300,00

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD19536KTTT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡4 251,40

Mín.:

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CSD19536KTTT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 59 A 595-CSD19536KTT

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	272 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.1 V
Qg - Carga de puerta:	118 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	329 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	CSD19536KTT
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Peso de la unidad:	2,200 g