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CSD23202W10T

Name: Texas Instruments CSD23202W10T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10T
Price: 899 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD23202W10T

Fabricante N.º:

CSD23202W10T

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡899	₡899
	₡574	₡5 740
	₡270	₡27 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡270	₡67 500
	₡243	₡121 500
	₡219	₡219 000
	₡218	₡545 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD23202W10

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡360

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD23202W10

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSBGA-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	92 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	2.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	CSD23202W10
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	58 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	1 mg

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USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

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Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.