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CSD25202W15

Name: Texas Instruments CSD25202W15
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25202W15
Price: 464 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25202W15

Fabricante N.º:

CSD25202W15

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25202W15T

Hoja de datos:

CSD25202W15 Hoja de datos

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡464	₡464
	₡323	₡3 230
	₡219	₡21 900
	₡173	₡86 500
	₡156	₡156 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡129	₡387 000
	₡118	₡708 000
	₡105	₡945 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSBGA-9
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	52 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.05 V
Qg - Carga de puerta:	7.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	CSD25202W15
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	64 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Peso de la unidad:	2 mg

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USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.