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CSD25211W1015

Name: Texas Instruments CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25211W1015
Price: 601.77 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25211W1015

Fabricante N.º:

CSD25211W1015

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PCh NexFET Power MOS FET

Hoja de datos:

CSD25211W1015 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡601,77	₡601,77
	₡431,00	₡4 310,00
	₡268,36	₡26 836,00
	₡184,87	₡92 435,00
	₡155,05	₡155 050,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡139,33	₡417 990,00
	₡119,27	₡715 620,00
	₡111,14	₡1 000 260,00
	₡100,30	₡2 407 200,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSBGA-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	44 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Qg - Carga de puerta:	3.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	14.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.8 ns
Serie:	CSD25211W1015
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36.9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.6 ns
Peso de la unidad:	1,700 mg

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CSD25211W1015 PSPICE Model

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.