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CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 452 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25304W1015

Fabricante N.º:

CSD25304W1015

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

Hoja de datos:

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡452	₡452
	₡280	₡2 800
	₡183	₡18 300
	₡140	₡70 000
	₡125	₡125 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡105	₡315 000
	₡93,4	₡560 400
	₡79,5	₡715 500
	₡76,6	₡1 838 400

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD25304W1015T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡980

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD25304W1015T

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSBGA-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	92 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.15 V
Qg - Carga de puerta:	4.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	750 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	CSD25304W1015
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Peso de la unidad:	1,400 mg

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USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.