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CSD25310Q2

Name: Texas Instruments CSD25310Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2
Price: 325 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25310Q2

Fabricante N.º:

CSD25310Q2

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

Hoja de datos:

CSD25310Q2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡325	₡325
	₡205	₡2 050
	₡137	₡13 700
	₡113	₡56 500
	₡100	₡100 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡85,3	₡255 900
	₡78,3	₡469 800
	₡67,9	₡611 100
	₡65	₡1 560 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD25310Q2T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡319

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	550 mV
Qg - Carga de puerta:	3.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.9 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	CSD25310Q2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Peso de la unidad:	6 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V P-Channel NexFET Power MOSFET is a 19.9mΩ, –20V P-Channel MOSFET that is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge. This is done in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The CSD25310Q2's low on-resistance coupled with an extremely small footprint in a SON 2mm×2mm plastic package makes the device ideal for battery-operated space-constrained operations.