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CSD25402Q3AT

Name: Texas Instruments CSD25402Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25402Q3AT
Price: 731 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD25402Q3AT

Fabricante N.º:

CSD25402Q3AT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) #NAME?

Hoja de datos:

CSD25402Q3AT Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡731	₡731
	₡597	₡5 970
	₡354	₡35 400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡354	₡88 500
	₡305	₡152 500
	₡276	₡276 000
	₡265	₡662 500
	₡251	₡1 255 000
	₡242	₡2 420 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD25402Q3A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡731

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SON-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	76 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.15 V
Qg - Carga de puerta:	9.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	69 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	59 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	CSD25402Q3A
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	27,800 mg

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SPICE Models

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

CSD25402Q3A NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD25402Q3A NexFET™ Power MOSFET is a 20V p-channel MOSFET designed to minimize losses in power conversion load management applications. The Texas Instruments CSD25402Q3A comes in a SON 3.3mm × 3.3mm package that offers excellent thermal performance for its size. Typical applications are DC-DC converters, battery management, load switches, and battery protection.