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CSD85301Q2

Name: Texas Instruments CSD85301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2
Price: 493 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD85301Q2

Fabricante N.º:

CSD85301Q2

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡493,00	₡493,00
	₡303,34	₡3 033,40
	₡197,78	₡19 778,00
	₡154,28	₡77 140,00
	₡136,88	₡136 880,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡106,72	₡320 160,00
	₡98,02	₡588 120,00
	₡85,26	₡767 340,00
	₡82,36	₡1 976 640,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD85301Q2T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡997,60

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD85301Q2T

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-FET-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	5.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	15 ns, 15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S, 20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns, 26 ns
Serie:	CSD85301Q2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns, 14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns, 6 ns
Peso de la unidad:	9,700 mg

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KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.