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CSD87501LT

Name: Texas Instruments CSD87501LT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87501LT
Price: 626 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD87501LT

Fabricante N.º:

CSD87501LT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡626	₡626
	₡407	₡4 070
	₡336	₡33 600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡336	₡84 000
	₡315	₡157 500
	₡303	₡303 000
	₡296	₡740 000
	₡278	₡1 390 000
	₡275	₡2 750 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD87501L

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡470

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD87501L

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFE A 595-CSD87501LT

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-10
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	712 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	260 ns
Serie:	CSD87501L
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	709 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	164 ns
Peso de la unidad:	3,100 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.