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DRV8300UDIPWR

Name: Texas Instruments DRV8300UDIPWR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8300UDIPWR
Price: 1009 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-DRV8300UDIPWR

Fabricante N.º:

DRV8300UDIPWR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 100-V max simple th ree-phase gate drive

Hoja de datos:

DRV8300UDIPWR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 009	₡1 009
	₡644	₡6 440
	₡576	₡14 400
	₡474	₡47 400
	₡413	₡103 250
	₡392	₡196 000
	₡329	₡329 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡300	₡900 000
	₡274	₡1 644 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición
RoHS:
Producto:	Brushless DC Motor Controllers
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSSOP-20
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de salidas:	1 Output
Tipo de producto:	Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie:	DRV8300U
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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CNHTS:: 8542319099
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8300U Three-Phase Gate Driver

Texas Instruments DRV8300U Three-Phase Gate Driver is 100V three half-bridge gate drivers, capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. The DRV8300UD generates the correct gate drive voltages using an integrated bootstrap diode and external capacitor for the high-side MOSFETs. GVDD is used to generate gate drive voltage for the low-side MOSFETs. The Gate Drive architecture supports peak up to 750mA source and 1.5A sink currents.