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TPS1100D

Name: Texas Instruments TPS1100D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS1100D
Price: 1734 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-TPS1100D

Fabricante N.º:

TPS1100D

Fabricante:

Texas Instruments

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Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 073

Mín.:

Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

TPS1100DR

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single P-Ch Enh-Mode MOSFET A 595-TPS110 A 595-TPS1100D

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	15 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	5.45 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	791 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	TPS1100
Cantidad de empaque de fábrica:	75
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.5 ns
Peso de la unidad:	74 mg