GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

Fabricante:

Descripción:
IGBTs 600V/30A DIS

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 82

Existencias:
82 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡2 459 ₡2 459
₡1 624 ₡16 240
₡1 143 ₡114 300
₡940 ₡470 000
₡882 ₡882 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
Marca: Toshiba
Máx. corriente continua Ic del colector: 30 A
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 6,756 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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