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SIC660CD-T1-GE3

Name: Vishay SIC660CD-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIC660CD-T1-GE3
Price: 2761 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIC660CD-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIC660CD-T1-GE3

Fabricante:

Vishay

Descripción:

Controladores de puertas 60A POWER STAGE

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 761	₡2 761
	₡1 833	₡18 330
	₡1 694	₡42 350
	₡1 473	₡147 300
	₡1 398	₡349 500
	₡1 253	₡626 500
	₡1 183	₡1 183 000
	₡1 009	₡3 027 000
	₡974	₡5 844 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Driver ICs - Various
Tipo:	Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MLP55-31L
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	60 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	16 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	SIC
Marca:	Vishay
Voltaje de entrada - Máx.:	16 V
Voltaje de entrada - Mín.:	2.5 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	SiC
Nombre comercial:	PowerPAK

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

SiC660 60A VRPower® Integrated Power Stage

Vishay Semiconductors SiC660 60A VRPower® Integrated Power Stage is a high-frequency integrated power stage designed for synchronous buck applications. The Vishay Semiconductors SiC660 provides high current, efficiency, and power density with minimal shutdown current. Housed in Vishay's compact 5mm x 5mm MLP package, it supports voltage regulators delivering up to 60A continuous current per phase. Its internal power MOSFETs, built on Vishay’s advanced TrenchFET^® technology, minimize switching and conduction losses for industry-leading performance.

Optically Isolated MOSFET Drivers

Vishay Optically Isolated MOSFET Drivers provide the voltage required to drive the gate of a low-voltage MOSFET. The gate voltage is generated by photovoltaic cells, and no power supply is needed on the output side. This simplifies designs when using low-voltage MOSFETS. The single channel VOM1271T provides 8.4 V output voltage with an input forward current of just 10mA. The dual channel VO1263AACTR provides 14.5V output voltage.