AFGY100T65SPD

onsemi
863-AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD

Fabricante:

Descripción:
IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE

Modelo ECAD:
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En existencias: 1 771

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡7 221 ₡7 221
₡4 356 ₡43 560
₡3 695 ₡443 400
₡3 561 ₡3 632 220
2 520 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3LD
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
120 A
660 W
- 55 C
+ 175 C
AFGY100T65SPD
Tube
Marca: onsemi
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGYx Field Stop Trench IGBTs

onsemi AFGYx Field Stop Trench IGBTs are AEC-Q101 qualified and feature very low conduction and switching losses. These features allow for a high-efficiency operation in various applications, rugged transient reliability, and low EMI.