FDMS86200DC

onsemi
512-FDMS86200DC
FDMS86200DC

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

Modelo ECAD:
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En existencias: 3 823

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Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
₡3 028 ₡3 028
₡1 972 ₡19 720
₡1 485 ₡148 500
₡1 450 ₡725 000
₡1 386 ₡1 386 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡1 189 ₡3 567 000
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DualCool-56-8
N-Channel
1 Channel
150 V
28 A
14 mOhms
- 20 V, 20 V
3.3 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 32 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 4 ns
Serie: FDMS86200DC
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Peso de la unidad: 90 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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