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FFSD2065B

Name: onsemi FFSD2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSD2065B
Price: 2378 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSD2065B

Fabricante N.º:

FFSD2065B

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE DPAK 650V

Hoja de datos:

FFSD2065B Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 378	₡2 378
	₡1 665	₡16 650
	₡1 479	₡147 900
	₡1 444	₡722 000
	₡1 433	₡1 433 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡1 363	₡3 407 500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.38 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	80 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSD2065B
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V

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Hoja de datos

FFSD2065B Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.