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NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 853 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS4C03NWFET1G

Fabricante N.º:

NVMFS4C03NWFET1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Ciclo de vida:

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡853	₡853
	₡534	₡5 340
	₡355	₡35 500
	₡278	₡139 000
	₡255	₡255 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡234	₡351 000
	₡211	₡949 500
	₡201	₡1 809 000
	₡197	₡4 728 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	159 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	45.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	77 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	32 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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NVMFS4C03NWFET1G Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C03NWFET1G Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency device designed for demanding power management applications. Housed in a compact 5mm x 6mm PowerFLAT package, the NVMFS4C03NWFET1G delivers excellent thermal performance and low R_DS(on), as low as 0.9mΩ at 10V, making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current circuits. This onsemi MOSFET supports fast switching speeds and is optimized for use in DC-DC converters, synchronous rectification, load switching, and motor control applications. A robust design and high avalanche energy rating make the NVMFS4C03NWFET1G suitable for use in telecom, server, and industrial power systems where reliability and efficiency are critical. The NVMFS4C03NWFET1G offers a balance of performance, size, and ruggedness, making it a versatile choice for modern power electronics.