NVMFS4C303NET1G

onsemi
863-NVMFS4C303NET1G
NVMFS4C303NET1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 1 350

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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡847 ₡847
₡531 ₡5 310
₡353 ₡35 300
₡276 ₡138 000
₡253 ₡253 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
₡232 ₡348 000
₡209 ₡940 500
₡200 ₡1 800 000
₡195 ₡4 680 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.