NVMFS5C456NLAFT1G-YE

onsemi
863-FS5C456NLAFT1GYE
NVMFS5C456NLAFT1G-YE

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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En existencias: 1 197

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡795 ₡795
₡499 ₡4 990
₡330 ₡33 000
₡271 ₡135 500
₡234 ₡234 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
₡214 ₡321 000
₡194 ₡582 000
₡185 ₡1 665 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
87 A
3.7 mOhms
20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
55 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 54 ns
Serie: NVMFS5C456NL
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 34 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 13 ns
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.