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NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 29749.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVXK2VR80WDT2

Fabricante N.º:

NVXK2VR80WDT2

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

NVXK2VR80WDT2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡29 749,80	₡29 749,80
	₡24 290,12	₡242 901,20
	₡23 717,61	₡2 371 761,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	APM-32
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	6 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	116 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	82 W
Serie:	NVXK2VR80WDT2
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Configuración:	3-Phase Bridge
Tiempo de caída:	9 ns
Altura:	5.8 mm
Longitud:	44.2 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Ancho:	29 mm

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Hoja de datos

NVXK2VR80WDT2 Hoja de datos

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.